1.Darba mērķis:
Iepazīties ar pusvadītāju diožu uzbūvi, tehniskajiem parametriem, darbības principu un raksturlīknēm.
2.Teorētiskais pamatojums
2.1. p-n pārejas galvenās īpašības
Par p-n pāreju jeb elektroncaurumu pāreju sauc robežu starp p un n apgabaliem pusvadītāja kristālā. Viena no galvenajām p-n pārejas īpašībām ir nesimetriska vadītspēja - tā strāvu vada tikai vienā virzienā, tādēļ ar p-n pārejas palīdzību var taisngriezt maiņstrāvu. Tās pretestības ir atkarīgas no pieliktā sprieguma virziena. Ja spriegums pielikts caurlaides virzienā, tad strāva ir liela, bet pretestība - maza. Savukārt, ja spriegums pievienots sprostvirzienā, tad otrādi, strāva ir maza, bet pretestība - liela.
2.2. diodes V-A raksturlīkne
Lai iegūtu diodi aprakstošu raksturlīkni, ir jāveic strāvas mērījumi pie kaut kādas noteiktas sprieguma vērtības. Parasti tiek nomērīti vairāki punkti un datu daudzums var būt robežās no dažiem punktiem līdz dažiem desmitiem punktu. Lai varētu nomērīt diodes VA, ir nepieciešams regulējams sprieguma avots, voltmetrs un miliampērmetrs.…