Добавить работы Отмеченные0
Работа успешно отмечена.

Отмеченные работы

Просмотренные0

Просмотренные работы

Корзина0
Работа успешно добавлена в корзину.

Корзина

Регистрация

интернет библиотека
Atlants.lv библиотека
3,99 € В корзину
Добавить в список желаний
Хочешь дешевле?
Идентификатор:975858
 
Автор:
Оценка:
Опубликованно: 01.02.2019.
Язык: Латышский
Уровень: Университет
Литературный список: Нет
Ссылки: Не использованы
Содержание
Nr. Название главы  Стр.
  Ievads    3
  Tranzistoru vēsture    4
  Elektronu-caurumu p-n pāreja    5
  Kas ir tranzistors?    6
  Bipolārais tranzistors(Bipolar transistor)    6
  Bipolārā tranzistora uzbūve    6
  Bipolārā tranzistora darbības princips    7
  Darba veidi un shēmas    8
1)  Kopkolektora slēgums    8
2)  Kopbāzes slēgums    9
3)  Kopemitera slēgums    9
  Bipolāra tranzistora darbības režīmi    10
1)  aktīvais režīms    10
2)  nogriešanas režīms    10
3)  piesātinājuma režīms    10
  Lauktranzistors(field effect transistor)    10
  Lauktranzistori ar p-n pāreju    10
  Lauktranzistori ar izolētu aizvaru    11
  Lauktranzistoru apzīmējumi shēmās    11
  Transistoru pielietošana    12
  Transistoru izmantošanas princips    12
  Transistors tiek izmantots    12
Фрагмент работы

Kas ir tranzistors?
Tranzistors ir pusvadītāju ierīce, kuras pretestību starp ieeju un izeju var vadīt ar signālu, ko padod vadības ieejā. Parasti tranzistoram ir trīs pusvadītāju slāņi, vienam no tiem pieslēdz vadības spriegumu. Ir divi galvenie tranzistoru veidi: bipolārais tranzistors un lauktranzistors. Tranzistoram ir vismaz trīs izvadi un dažāds pāreju skaits starp pusvadītājiem ar atšķirīgu vadītspēju.

Bipolārais tranzistors(Bipolar transistor)
Bipolārais tranzistors -ir tranzistora veids ar trim dažādu vadītspējas tipu slāņiem un trim izvadiem. Bipolārajā tranzistorā tiek izmantoti divu dažādu veidu pusvadītāji - ar elektronu vadītspēju (n jeb negatīvais tips) un ar caurumu vadītspēju (p jeb pozitīvais tips).

Bipolārā tranzistora uzbūve
Bipolārā tranzistora trīs pusvadītāju slāņi tiek saukti par kolektoru (C), bāzi (B) un emiteru (E)(zīm. 5.). Divus malējos slāņus (kolektoru un emiteru) izgatavo no pusvadītāju materiāla ar vienādu vadītspējas tipu (p vai n) bet trešo - centrālo - slāni (bāzi) no materiāla ar pretēju vadītspējas tipu. Tādējādi var būt divu dažādu veidu bipolārie tranzistori – p-n-p un n-p-n tipa.(zīm. 5.)
Pusvadītāju slāņu kontakta zonas sauc par pusvadītāju pārejām. Pāreju starp kolektoru un bāzi sauc par kolektora pāreju, starp emiteru un bāzi - par emitera pāreju. Kolektora pārejai mēdz būt daudz lielāks laukums, nekā emitera pārejai. Turklāt bipolārā tranzistora normālai darbībai ir nepieciešams, lai bāzes biezums būtu neliels.(zīm. 6.)

Коментарий автора
Загрузить больше похожих работ

Atlants

Выбери способ авторизации

Э-почта + пароль

Э-почта + пароль

Неправильный адрес э-почты или пароль!
Войти

Забыл пароль?

Draugiem.pase
Facebook

Не зарегистрировался?

Зарегистрируйся и получи бесплатно!

Для того, чтобы получить бесплатные материалы с сайта Atlants.lv, необходимо зарегистрироваться. Это просто и займет всего несколько секунд.

Если ты уже зарегистрировался, то просто и сможешь скачивать бесплатные материалы.

Отменить Регистрация