Nr. | Название главы | Стр. |
Введение | 4 | |
1. | Оптические свойства халькогенидных пленок | 6 |
2. | Способы получения халькогенидных пленок | 9 |
2.1. | Получение халькогенидных пленок термовакуумным методом | 9 |
3. | Термодинамика травления | 13 |
4. | Методика эксперимента | 16 |
4.1. | Практические аспекты жидкостного химического травления | 18 |
5. | Селективность травления пленок As2S3 | 20 |
5.1. | Травление в неорганических травителях | 22 |
5.2. | Травление в органических травителях | 28 |
Выводы | 31 | |
Используемая литература | 32 |
Введение
Перспективными регистрирующими средами для изготовления голографических оптических элементов являются светочувствительные системы на основе халькогенидных стеклообразных полупроводников (ХСП). К числу достоинств таких систем относятся - высокая разрешающая способность, широкая область спектральной чувствительности, относительная простота получения и невысокая стоимость. В настоящее время известно несколько способов записи оптической информации на ХСП. Самыми распространенными являются запись голограмм с помощью фотоструктурных превращений в ХСП и запись оптической информации в результате фотохимической реакции в системе ХСП – металл.
Запись голографической информации на ХСП основана на их свойстве обратимо менять оптическую плотность при облучении лазером. Причиной изменения оптической плотности является сдвиг края полосы поглощения в более длинноволновую или более коротковолновую области спектра под действием света с энергией квантов равной либо большей ширины запрещенной зоны материала. Кроме того, при облучении материала происходит изменение показателя преломления ХСП, что создает возможность для записи фазового рельефа. Дифракционная эффективность голографических элементов полученных этим способом не превышает 3-4%. Для увеличения дифракционной эффективности голографических элементов, а также для получения мастер - голограмм для последующего тиражирования используется протравливание поверхности облученного лазером полупроводника в растворах щелочей или органических травителей. Суть этого метода состоит в том, что засвеченные и не засвеченные места полупроводника растворяются в травителях с разной скоростью, и в результате такой обработки на поверхности ХСП проявляется рельефное изображение. Дифракционная эффективность таких голограмм достигает 30%. …
Plānās kārtas As2S3 kodināšana Цель работы – получение и исследование процесса травления халькогенидных пленок в органических и неорганических растворах (травитель). В работе рассмотрены: оптические свойства хальк. пл., термовакуумный метод получения плёнок As2S3, термодинамика травления, методика эксперимента и результаты.
- Tравления халькогенидных пленок As2S3
- Жидкие кристаллы
- Плазма
-
Ты можешь добавить любую работу в список пожеланий. Круто!Плазма
Реферат для университета8
-
Жидкие кристаллы
Реферат для университета19
-
Алкалоиды - производные индола
Реферат для университета23
Оцененный! -
Витамины, их классификация
Реферат для университета28
-
Строение твердых тел. Дефекты кристаллической решетки. Электрические свойства материалов. Химические связи
Реферат для университета32