Автор:
Оценка:
Опубликованно: 14.05.2019.
Язык: Латышский
Уровень: Университет
Литературный список: 5 единиц
Ссылки: Не использованы
Рассмотреный период: 2016–2020 гг.
  • Конспект 'Operatīvā atmiņa', 1.
  • Конспект 'Operatīvā atmiņa', 2.
  • Конспект 'Operatīvā atmiņa', 3.
  • Конспект 'Operatīvā atmiņa', 4.
  • Конспект 'Operatīvā atmiņa', 5.
  • Конспект 'Operatīvā atmiņa', 6.
  • Конспект 'Operatīvā atmiņa', 7.
  • Конспект 'Operatīvā atmiņa', 8.
  • Конспект 'Operatīvā atmiņa', 9.
  • Конспект 'Operatīvā atmiņa', 10.
Содержание
Nr. Название главы  Стр.
1.  Kas ir RAM?    3
2.  DRAM un tā veidi    5
2.1.  FPM DRAM    5
2.2.  EDO RAM    5
2.3.  BEDO RAM    6
2.4.  CDRAM, EDRAM    6
2.5.  SDRAM    6
2.6.  DDR SDRAM    7
2.7.  RDRAM    7
2.8.  SLDRAM (SyncLink)    8
2.9.  Kopsavilkuma tabula    8
3.  Jaudīgākie mūsdienu RAM    9
3.1.  Crucial Ballistix Sport    9
3.2.  Kingston HyperX FURY    9
3.3.  Corsair Vengeance LPX    9
4.  Izmantotā literatūra    10
Фрагмент работы

2.3 BEDO RAM
BEDO RAM (Burst EDO) mikroshēmas ir EDO RAM modifikācija, kurā četru pārraidei nododamo operandu (paketes) nolasīšana notiek automātiski. Tajā ir ievietots speciāls vārdu skaitītājs.
Ir eksperimentāli noskaidrots, ka procesoram ar 66 MHz taksts frekvenci paketes režīmam nepieciešamo ciklu skats ir: FPM atmiņai 7-3-3-3, EDO 7-2-2-2 un BEDO 7-1-1-1.
2.4 CDRAM, EDRAM
CPU, kurš strādā ar takts frekneci 100 MHz, 10 nanosekundēs izpilda vienu vai vairākas operācijas. EDO RAM un FPM RAM mikroshēmu piekļuves laiks ir 60 ns. CDRAM (Cache DRAM) un EDRAM (Ehcanced DRAM) mikroshēmās ir ievietots neliels skaits ātrdarbīgo SRAM atmiņas šūnu ar piekļuves laiku 10 - 15 ns. Tā, piemēram, vienā mikroshēmā ir ievietoti 16 Mb DRAM un 16 Kb SRAM. Integrētos SRAM elementus var uzlūkot par atmiņā iebūvētu kešatmiņu. Šādu mikroshēmu izmantošana palielina ātrdarbību.
…

Коментарий автора
Atlants