Автор:
Оценка:
Опубликованно: 19.04.2012.
Язык: Латышский
Уровень: Университет
Литературный список: 4 единиц
Ссылки: Использованы
  • Конспект 'Rūpnieciskās silīcija monokristālu audzēšanas matemātiskā modelēšana', 1.
  • Конспект 'Rūpnieciskās silīcija monokristālu audzēšanas matemātiskā modelēšana', 2.
  • Конспект 'Rūpnieciskās silīcija monokristālu audzēšanas matemātiskā modelēšana', 3.
  • Конспект 'Rūpnieciskās silīcija monokristālu audzēšanas matemātiskā modelēšana', 4.
  • Конспект 'Rūpnieciskās silīcija monokristālu audzēšanas matemātiskā modelēšana', 5.
Фрагмент работы

Pusvadītājs ir materiāls, kas elektrības vadīšanas spējas ziņā ierindojams starp metāliem un dialektriķiem, kuriem ir maz brīvo lādiņu nesēji, un kura elektrovadītspēja ir atkarīga no elektronu kustības rakstura. Pie tiem pieder daudzi ķīmiskie elementi no IV, V un VI grupas, arī iepriekš minētais silīcijs. Pusvadītāji ir ārkārtīgi jūtīgi pret ārējo iedarbību, piemēram, to elektrovadītspēja ir atkarīga no apgaismojuma, temperatūras. Gandrīz jebkuras mūsdienu elektroniskās ierīces darbības balstās uz pusvadītāju fizikālajām īpašībām.i Jūtība pret gaismu tiek izmantota integrālo shēmu izveidē, kas aprakstīta darba turpinājumā. …

Atlants